Desempenho
O pó de telurida de bismuto é um material semicondutor, com boa condutividade, mas baixa condutividade térmica. Embora o risco de teluride de bismuto seja baixo, mas se um grande número de ingestão também for um perigo fatal, esse material pode permitir que os elétrons em temperatura ambiente sem energia na superfície de seu movimento, o que trará a velocidade de operação do chip, até pode melhorar bastante a velocidade e a eficiência do chip do computador.
Pureza: 4n-6n
Forma: Pó, grânulo, bloco
Densidade: 7.8587G.CM3
Gap Energy: 0,145ev
Massa molecular: 800.76
Ponto de fusão: 575 ℃
Condutividade térmica: 0,06 w/cmk
Fórmula molecular | BI2TE3 |
Pureza (%, min) | 99.999 |
Forma | Pó preto |
Impurezas | (ppm, max) |
Ag | 0,5 |
Al | 0,5 |
Co | 0,4 |
Cu | 0,5 |
Fe | 0,5 |
Mn | 0,5 |
Ni | 0,5 |
Pb | 1.0 |
Au | 0,5 |
Zn | 0,5 |
Mg | 1.0 |
Cd | 0,4 |
Tamanho de partícula (malha) | 325 |
Marca | Epoch-Chem |
Para formar a junção P/N, usada na refrigeração semicondutores, geração de pó termoelétrico etc.
Somos fabricantes, nossa fábrica está localizada em Shandong, mas também podemos fornecer um serviço de compra para você!
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Armazene o recipiente bem fechado em um local seco, frio e bem ventilado.
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Femncocr | HEA Powder | Alta de entropia alta | fa ...
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Melhor preço 99% CAS 10035-06-0 Nitrato de bismuto P ...
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Alta pureza 99% Diborida de vanádio ou boride VB2 ...
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Metal de gálio | Ga Liquid | CAS 7440-55-3 | FAC ...
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Fluoreto de disprósio | DYF3 | Fornecimento de fábrica | CAS ...
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Fornecimento de fábrica NBN Powder CAS No.24621-21-4 NIO ...